MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RS6G120CHTB1, VDSS 40 V, ID 300 A, Mejora, HSOP-8 de 8 pines
- Código RS:
- 646-625
- Nº ref. fabric.:
- RS6G120CHTB1
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 5 unidades)*
7,59 €
(exc. IVA)
9,185 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 100 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,518 € | 7,59 € |
| 50 - 245 | 1,334 € | 6,67 € |
| 250 - 495 | 1,20 € | 6,00 € |
| 500 + | 0,95 € | 4,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 646-625
- Nº ref. fabric.:
- RS6G120CHTB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 300A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | RSG120 | |
| Encapsulado | HSOP-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.91mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 71.0nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 166W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Halogen Free, Pb Free, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 300A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie RSG120 | ||
Encapsulado HSOP-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.91mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 71.0nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 166W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Halogen Free, Pb Free, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia ROHM con resistencia de conexión baja y encapsulado de alta potencia adecuado para conmutación, accionamientos de motor y convertidor dc/dc.
Chapado sin Pd
Conforme a RoHS
Sin halógenos
100% Rg y UIS probado
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS -40 V HSOP-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 150 V HSOP-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, HSOP-8
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, HSOP-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, HSOP-8
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, HSOP-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, HSOP-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, HSOP-8 de 8 pines
