MOSFET, Doble N-Canal ROHM HP8KC5TB1, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, HSOP-8 de 8 pines

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Código RS:
331-684
Nº ref. fabric.:
HP8KC5TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Doble N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

HSOP-8

Serie

HP8KC5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

139mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

20W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.1nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

Pb-Free Plating, RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM es un MOSFET de baja resistencia de encendido ideal para aplicaciones de conmutación y accionamientos de motores. Este MOSFET de potencia se presenta en un pequeño encapsulado de montaje superficial.

Revestimiento sin Pb

Conforme con RoHS

Sin halógenos

100% Rg y UIS probado

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