MOSFET ROHM, N-Canal HP8K24TB, VDSS 30 V, ID 80 A, HSOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

30 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

80 A

Encapsulado

HSOP

Modo de canal

Mejora

Número de pines

8

Número de elementos por chip

2

Configuración de transistor

Doble

Estándar de automoción

No

Tensión directa (Vf)

1.2 V

Altura

1.1 mm

Longitud

5 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

3 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

31 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Serie

HP

Certificaciones y estándares

No

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

10 nC

Anchura

6 mm