MOSFET ROHM, Tipo N-Canal HP8KE7TB1, VDSS 100 V, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Nch+Nch

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 5 unidades)*

8,03 €

(exc. IVA)

9,715 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 100 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tira*
5 - 451,606 €8,03 €
50 - 951,528 €7,64 €
100 - 4951,414 €7,07 €
500 - 9951,304 €6,52 €
1000 +1,252 €6,26 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
264-873
Nº ref. fabric.:
HP8KE7TB1
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

HSOP-8

Serie

HP8K

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

19.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

26W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.8nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Nch+Nch

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM presenta una configuración de doble canal N con una tensión nominal de 100 V y una capacidad de corriente de 24 A. Diseñado en un encapsulado HSOP8 y ofrece una baja resistencia a la conexión.

Baja resistencia

Encapsulado de montaje superficial pequeño (HSOP8)

Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos

Enlaces relacionados