Nº ref. fabric.

MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal HP8ME5TB1, VDSS 100 V, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Dual (Nch+Pch)

Código RS:: 264-877
Nº ref. fabric.:: HP8ME5TB1
Fabricante:: ROHM

MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal HP8ME5TB1, VDSS 100 V, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Dual (Nch+Pch)

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250 - 490	0,632 €	6,32 €
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Código RS:: 264-877
Nº ref. fabric.:: HP8ME5TB1
Fabricante:: ROHM

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	ROHM
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	HP8K
	Encapsulado	HSOP-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	273mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	19.7nC
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Dual (Nch+Pch)
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca ROHM
	Tipo de canal Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie HP8K
	Encapsulado HSOP-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 273mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19.7nC
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Dual (Nch+Pch)
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet - HP8ME5TB1

El MOSFET de potencia ROHM presenta una configuración de doble canal N con una tensión nominal de 100 V y una capacidad de corriente de 8,5 A. Diseñado en un encapsulado HSOP8 y ofrece una baja resistencia a la conexión.

Baja resistencia

Encapsulado de montaje superficial pequeño (HSOP8)

Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos

MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal HP8ME5TB1, VDSS 100 V, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Dual (Nch+Pch)

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