MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal HP8ME5TB1, VDSS 100 V, ID 8.5 A, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Dual (Nch+Pch)
- Código RS:
- 264-877
- Nº ref. fabric.:
- HP8ME5TB1
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 264-877
- Nº ref. fabric.:
- HP8ME5TB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | HSOP-8 | |
| Serie | HP8K | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 273mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Dual (Nch+Pch) | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado HSOP-8 | ||
Serie HP8K | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 273mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Dual (Nch+Pch) | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia ROHM presenta una configuración de doble canal N con una tensión nominal de 100 V y una capacidad de corriente de 8,5 A. Diseñado en un encapsulado HSOP8 y ofrece una baja resistencia a la conexión.
Baja resistencia
Encapsulado de montaje superficial pequeño (HSOP8)
Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos
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