MOSFET ROHM, Tipo N-Canal HP8K24TB, VDSS 30 V, ID 80 A, HSOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 215-9752
- Nº ref. fabric.:
- HP8K24TB
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
9,60 €
(exc. IVA)
11,60 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 12 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,96 € | 9,60 € |
| 50 - 90 | 0,941 € | 9,41 € |
| 100 - 240 | 0,713 € | 7,13 € |
| 250 - 990 | 0,698 € | 6,98 € |
| 1000 + | 0,582 € | 5,82 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-9752
- Nº ref. fabric.:
- HP8K24TB
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | HSOP | |
| Serie | HP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 31W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 6 mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado HSOP | ||
Serie HP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 31W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 6 mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Rohm tiene una tensión nominal de 30V Tiene baja resistencia de conexión. Se utiliza principalmente en conmutación y convertidor dc-dc.
Sin plomo
En conformidad con RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET ROHM HP8K24TB ID 80 A, HSOP8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, HSOP-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, HSOP-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, HSOP-8 de 8 pines
- MOSFET ROHM VDSS 80 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET ROHM VDSS 80 V SOP 2, config. Doble
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, HSOP-8
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, HSOP-8S
