MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ3N060ATTB1, VDSS 80 V, ID 18 A, Mejora, HSOP-8 de 8 pines

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Código RS:
331-689
Nº ref. fabric.:
RQ3N060ATTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

HSOP-8

Serie

RQ3N060AT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

20W

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

50nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM es un MOSFET de baja resistencia de encendido ideal para aplicaciones de conmutación y accionamientos de motores. Este MOSFET de potencia se presenta en un encapsulado de molde pequeño de alta potencia.

Revestimiento sin Pb

Conforme con RoHS

Sin halógenos

100% Rg y UIS probado

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