MOSFET ROHM, Tipo P-Canal HP8JE5TB1, VDSS 100 V, ID 12.5 A, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
264-654
Nº ref. fabric.:
HP8JE5TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HP8J

Encapsulado

HSOP-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

127mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

21W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38.0nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El semiconductor ROHM es un MOSFET de doble canal P diseñado para aplicaciones eficientes de conmutación y accionamiento de motores. Presenta una baja resistencia a la conexión y una alta disipación de potencia, por lo que es ideal para circuitos de alto rendimiento. El dispositivo está alojado en un encapsulado 8-HSOP, lo que garantiza un montaje en superficie compacto y fiable.

Conforme a RoHS

Paquete de alta potencia

Revestimiento sin Pb

Sin halógenos

Rg y UIS probados

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