MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 350 V, ID 72 mA, Reducción, SOT-89 de 3 pines
- Código RS:
- 649-459P
- Nº ref. fabric.:
- DN3135N8-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 649-459P
- Nº ref. fabric.:
- DN3135N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislation and Compliance
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 72mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 350V | |
| Encapsulado | SOT-89 | |
| Serie | DN3135 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.3W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.3 mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Certificaciones y estándares | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 72mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 350V | ||
Encapsulado SOT-89 | ||
Serie DN3135 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.3W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.3 mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Certificaciones y estándares Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Longitud 2.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de Microchip con modo de agotamiento de umbral bajo (normalmente encendido) utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puertas de silicio de eficacia probada. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de gestión de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de desbocamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente. Los FET verticales de DMOS son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación en las que se desea una tensión de ruptura elevada, una impedancia de entrada alta, una capacitancia de entrada baja y velocidades de conmutación rápidas.
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Baja resistencia a la conexión
Libre de averías secundarias
Baja fuga de entrada y salida