MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 72 V, ID 87 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

1,67 €

(exc. IVA)

2,02 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) más para enviar a partir del 30 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s)
Por Tira
1 - 241,67 €
25 - 991,62 €
100 - 4991,58 €
500 - 9991,37 €
1000 +1,28 €

*precio indicativo

Código RS:
653-127
Nº ref. fabric.:
SQS174ELNW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

87A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

72V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SQS174ELNW

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0072Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

69nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

103W

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

3.3 mm

Longitud

3.3mm

Altura

0.75mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en entornos compactos y térmicamente exigentes. Admite hasta 72 V de tensión de fuente de drenaje y gestiona corrientes de drenaje continuas de hasta 87 A a 175 °C, lo que lo convierte en adecuado para sistemas de alimentación de automoción robustos. Envasado en PowerPAK 1212-8SLW, dispone de tecnología TrenchFET Gen IV para un RDS(on) ultrabajo y un rendimiento térmico optimizado.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Terminales de flanco húmedos

Cumplimiento de RoHS

Enlaces relacionados