STMicroelectronics, N-Canal SCT018H65G3-7, VDSS 650 V, ID 55 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 671-932
- Nº ref. fabric.:
- SCT018H65G3-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 671-932
- Nº ref. fabric.:
- SCT018H65G3-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 650 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 55 A | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 7 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Altura | 4.8 mm | |
| Longitud | 15.25 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 20 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 18 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 385 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 79.4 nC | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 650 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 55 A | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 7 | ||
Estándar de automoción No | ||
Altura 4.8 mm | ||
Longitud 15.25 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 20 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 18 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 385 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 79.4 nC | ||
Anchura 10.4 mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
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