MOSFET sencillos, N-Canal ROHM SCT4018KWATL, VDSS 1200 V, ID 75 A, Mejora, TO-263-7LA de 8 pines
- Código RS:
- 687-342P
- Nº ref. fabric.:
- SCT4018KWATL
- Fabricante:
- ROHM
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- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-263-7LA | |
| Serie | SCT4018KWA | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 170nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 21V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 267W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.5mm | |
| Longitud | 15.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 10.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-263-7LA | ||
Serie SCT4018KWA | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 170nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 21V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 267W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.5mm | ||
Longitud 15.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 10.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TH
El MOSFET de potencia SiC de canal N de ROHM, diseñado para una gestión eficiente de la potencia en una gran variedad de aplicaciones. Con una tensión máxima de drenaje-fuente de 1.200 V y una baja resistencia de conexión de 18 mΩ, este MOSFET optimiza el rendimiento en sistemas de alta eficiencia como inversores solares y calefacción por inducción. Proporciona una gestión térmica robusta con un rango de temperaturas de unión de hasta 175 °C, lo que garantiza un funcionamiento fiable incluso en entornos exigentes. El dispositivo presenta una velocidad de conmutación rápida, por lo que es ideal para aplicaciones que requieren conmutación de alta frecuencia, lo que mejora la eficiencia y el rendimiento general del sistema.
La baja resistencia de encendido garantiza una pérdida mínima de energía durante el funcionamiento
Admite velocidades de conmutación rápidas para mejorar la eficiencia
Diseñado para un fácil funcionamiento en paralelo, lo que facilita la escalabilidad
Sus robustas características térmicas permiten el funcionamiento en condiciones extremas
El chapado sin plomo cumple la normativa RoHS de seguridad medioambiental
La amplia distancia de fuga de 4,7 mm aumenta la fiabilidad en aplicaciones de alta tensión
Ideal para diversas aplicaciones, incluidos inversores solares y convertidores dc/dc