MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR512DP, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-131
Nº ref. fabric.:
SiR512DP
Fabricante:
Vishay
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SiR

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0045Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

96.2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

100V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2mm

Longitud

7mm

Anchura

6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia TrenchFET Gen V de canal N de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en soluciones de servidor de IA y aplicaciones de alta corriente. Proporciona capacidad de tensión de drenaje-fuente de 100 V con una baja resistencia de conexión de 4,5 mΩ a 10 V de accionamiento de puerta para una pérdida de potencia mínima.

corriente de drenaje continua de 00 A a TC=25 °C

Disipación de potencia nominal de 96,2 W

Rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +150 °C

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