MOSFET, N-Canal Vishay SIR512DP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-131
Nº ref. fabric.:
SIR512DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SiR

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0045Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

100V

Disipación de potencia máxima Pd

96.2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

7mm

Altura

2mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia TrenchFET Gen V de canal N de Vishay está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en soluciones de servidor de IA y aplicaciones de alta corriente. Proporciona capacidad de tensión de drenaje-fuente de 100 V con una baja resistencia de conexión de 4,5 mΩ a 10 V de accionamiento de puerta para una pérdida de potencia mínima.

corriente de drenaje continua de 00 A a TC=25 °C

Disipación de potencia nominal de 96,2 W

Rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +150 °C

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