MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHL040N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 65 A, Mejora, TO-247AD de 4 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

11,21 €

(exc. IVA)

13,56 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 13 de noviembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 411,21 €
5 +11,17 €

*precio indicativo

Código RS:
735-229
Nº ref. fabric.:
SIHL040N65E-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247AD

Serie

E Series

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.04Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

92nC

Disipación de potencia máxima Pd

391W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

23.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Altura

5.21mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.