MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHL040N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 65 A, Mejora, TO-247AD de 4 pines

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Código RS:
735-229
Nº ref. fabric.:
SIHL040N65E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247AD

Serie

E Series

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.04Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

92nC

Disipación de potencia máxima Pd

391W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

5.21mm

Longitud

23.6mm

Anchura

16.13 mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

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