MOSFET, Canal N, Canal P-Canal Vishay SQ3583CEV-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 4.7 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

0,44 €

(exc. IVA)

0,53 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 17 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Tira(s)
Por Tira
1 - 240,44 €
25 - 990,30 €
100 +0,16 €

*precio indicativo

Código RS:
736-343
Nº ref. fabric.:
SQ3583CEV-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N, Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

TSOP-6

Serie

SQ3583CEV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.077Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.67W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
DE
El MOSFET doble de Vishay está diseñado para aplicaciones de alta fiabilidad. Este componente utiliza la tecnología TrenchFET para proporcionar una gestión de potencia eficiente en un encapsulado TSOP-6 compacto.

Calificado para uso en automoción según los estándares AEC-Q101

Se somete a pruebas 100 % Rg y UIS para garantizar un rendimiento robusto

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.