MOSFET, Canal N, Canal P-Canal Vishay SQ3583CEV-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 4.7 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines

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Código RS:
736-343
Nº ref. fabric.:
SQ3583CEV-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Canal N, Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

TSOP-6

Serie

SQ3583CEV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.077Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Disipación de potencia máxima Pd

1.67W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
DE
El MOSFET doble de Vishay está diseñado para aplicaciones de alta fiabilidad. Este componente utiliza la tecnología TrenchFET para proporcionar una gestión de potencia eficiente en un encapsulado TSOP-6 compacto.

Calificado para uso en automoción según los estándares AEC-Q101

Se somete a pruebas 100 % Rg y UIS para garantizar un rendimiento robusto

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