MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMT44R011M2HXTMA2, VDSS 440 V, ID 144 A, Mejora, TO-LL de 8 pines
- Código RS:
- 762-914
- Nº ref. fabric.:
- IMT44R011M2HXTMA2
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
16,26 €
(exc. IVA)
19,67 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 16,26 € |
| 10 - 24 | 14,64 € |
| 25 + | 12,04 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 762-914
- Nº ref. fabric.:
- IMT44R011M2HXTMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 144A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 440V | |
| Encapsulado | TO-LL | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 429W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 4.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 11.88mm | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 144A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 440V | ||
Encapsulado TO-LL | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 429W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 4.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 11.88mm | ||
Longitud 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET CoolSiC de Infineon es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona y dispone de tensión de umbral de puerta de referencia. Además, dispone de tecnología de interconexión XT para ofrecer el mejor rendimiento térmico de su clase.
100 % a prueba de avalancha
Tensión de control de puerta recomendada
Calificado para aplicaciones industriales
Se utiliza para almacenamiento de energía, SAI y formación de baterías
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 440 V Mejora, TO-LL de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 440 V Mejora, TO-LL de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, TO-LL de 4 pines
- MOSFET de potencia VDSS 400 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, HSOF de 5 pines
- MOSFET de potencia VDSS 40 V Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO247-4, Mejora de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
