MOSFET de señal pequeña, Canal N-Canal onsemi NTS4001NT1G, VDSS 30 V, ID 270 mA, Modo de mejora, SC-70 de 3 pines
- Código RS:
- 765-284P
- Nº ref. fabric.:
- NTS4001NT1G
- Fabricante:
- onsemi
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de señal pequeña | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 270mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Serie | NTS4001N | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 330mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 2.64mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.11mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de señal pequeña | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 270mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Serie NTS4001N | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 330mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 2.64mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.11mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de onsemi está diseñado para la eficiencia en aplicaciones de baja potencia y ofrece características de rendimiento notables para la innovación en diversos dispositivos electrónicos. Con un encapsulado SC-70 compacto, este MOSFET de canal N único destaca por su baja carga de puerta, lo que permite capacidades de conmutación rápida al tiempo que garantiza una sólida protección ESD. El dispositivo admite una tensión máxima de drenaje a fuente de 30 V y una corriente de drenaje continua de 270 mA, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones como dispositivos alimentados por batería y convertidores reductores. Fabricado pensando en la fiabilidad, cumple los estándares AEC-Q101 al tiempo que cumple la directiva RoHS, lo que subraya el compromiso de onsemi con la sostenibilidad y la calidad.
La baja carga de puerta facilita una conmutación rápida y eficiente
El tamaño compacto es un 30 % más pequeño que los encapsulados TSOP-6 tradicionales, lo que ahorra espacio en la placa
La protección ESD mejora la longevidad del dispositivo y la fiabilidad del rendimiento
Certificación AEC-Q101, lo que garantiza la robustez para aplicaciones de automoción y de alta fiabilidad
Sin plomo y conforme a RoHS, en línea con los estándares ambientales
Las aplicaciones versátiles incluyen interruptores de carga de lado bajo y electrónica portátil
Admite un amplio rango de temperaturas de –55 a 150 °C para diversos entornos operativos
Fácil de integrar en diseños con un diseño de encapsulado simplificado para montaje en superficie
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