MOSFET, Canal P-Canal ROHM RH7E04BBJFRATCB, VDSS -30 V, ID 40 A, DFN3333T8LSAB de 8 pines

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Código RS:
780-657
Nº ref. fabric.:
RH7E04BBJFRATCB
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

DFN3333T8LSAB

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.3Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

75W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-10V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

3.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

3.4mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de ROHM proporciona conmutación de canal P de alta fiabilidad para gestión de potencia industrial y de automoción avanzada. Este robusto dispositivo está diseñado para módulos de control de cuerpo y ADAS, lo que garantiza un rendimiento eficiente en entornos de alta temperatura.

Tensión de fuente de drenaje de -30 V

Corriente de drenaje continua de -40 A

Resistencia de conexión típica de 7,5 mΩ a -10 V

Alta disipación de potencia de 75 W

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