MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
111-6459P
Nº ref. fabric.:
STB18N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

MDmesh DM2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

290mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

9.35mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics


Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.

Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema

Certificación AEC-Q101

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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