MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 50 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 111-6485P
- Nº ref. fabric.:
- STW56N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal 5 unidades (suministrado en tubo)*
34,20 €
(exc. IVA)
41,40 €
(inc.IVA)
Añade 13 unidades para conseguir entrega gratuita
Agotado temporalmente
- Envío desde el 03 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 5 - 9 | 6,84 € |
| 10 - 24 | 6,17 € |
| 25 - 49 | 5,56 € |
| 50 + | 5,27 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 111-6485P
- Nº ref. fabric.:
- STW56N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -5.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 90nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.15mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -5.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 90nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.15mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101