MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 66 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 111-6487P
- Nº ref. fabric.:
- STW70N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 111-6487P
- Nº ref. fabric.:
- STW70N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 66A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 42mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 446W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 121nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 66A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 42mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 446W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 121nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101