MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 25 V, ID 680 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 121-2747P
- Nº ref. fabric.:
- FDV303N
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal 500 unidades (suministrado en carrete)*
42,00 €
(exc. IVA)
51,00 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 500 - 900 | 0,084 € |
| 1000 + | 0,073 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 121-2747P
- Nº ref. fabric.:
- FDV303N
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 680mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | UniFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 350mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 930μm | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.92mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 680mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie UniFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 350mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 930μm | ||
Anchura 1.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.92mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.