MOSFET, N-Canal onsemi RFP50N06, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 124-1672
- Nº ref. fabric.:
- RFP50N06
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
55,60 €
(exc. IVA)
67,30 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 100 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 800 unidad(es) más para enviar a partir del 24 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,112 € | 55,60 € |
| 100 - 450 | 0,942 € | 47,10 € |
| 500 - 950 | 0,87 € | 43,50 € |
| 1000 + | 0,859 € | 42,95 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 124-1672
- Nº ref. fabric.:
- RFP50N06
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | MegaFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 131W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 125nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.83mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie MegaFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 131W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 125nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.83mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento extraordinario.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines