MOSFET, N-Canal onsemi RFP50N06, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 124-1672
- Nº ref. fabric.:
- RFP50N06
- Fabricante:
- onsemi
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*precio indicativo
- Código RS:
- 124-1672
- Nº ref. fabric.:
- RFP50N06
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | MegaFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 131W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 125nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 9.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie MegaFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 131W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 125nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 9.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento extraordinario.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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