MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 50 V, ID 220 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

120,00 €

(exc. IVA)

150,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponibilidad limitada
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 156.000 unidad(es) más para enviar a partir del 12 de enero de 2026
Nuestras existencias actuales son limitadas y los proveedores prevén escasez de productos.
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 - 120000,04 €120,00 €
15000 +0,039 €117,00 €

*precio indicativo

Código RS:
124-1694
Nº ref. fabric.:
BSS138
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

220mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

50V

Encapsulado

SOT-23

Serie

BSS138

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

360mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.93mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.3 mm

Longitud

2.92mm

Estándar de automoción

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor


Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Enlaces relacionados