- Código RS:
- 124-1750
- Nº ref. fabric.:
- FDPF18N50
- Fabricante:
- onsemi
1300 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (En un Tubo de 50)
1,694 €
(exc. IVA)
2,05 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
---|---|---|
50 - 200 | 1,694 € | 84,70 € |
250 - 450 | 1,47 € | 73,50 € |
500 + | 1,433 € | 71,65 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 124-1750
- Nº ref. fabric.:
- FDPF18N50
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor
El MOSFET UniFET™ forma parte de la familia MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor. Dispone de la resistencia en funcionamiento más pequeña de los MOSFET planar, y también proporciona un rendimiento de conmutación excelente y una mayor resistencia a la energía de avalanchas. Además, el diodo ESD de fuente de compuerta interna permite al MOSFET UniFET-II™ soportar una tensión HBM de más de 2.000 V.
Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de alimentación conmutada, como la corrección del factor de potencia (PFC), display de pantalla plana (FPD), alimentación de televisores, ATX (Tecnología avanzada extendida) y balastos de lámparas electrónicos.
Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de alimentación conmutada, como la corrección del factor de potencia (PFC), display de pantalla plana (FPD), alimentación de televisores, ATX (Tecnología avanzada extendida) y balastos de lámparas electrónicos.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 18 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220F |
Serie | UniFET |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 265 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
Disipación de Potencia Máxima | 38,5 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Ancho | 4.7mm |
Material del transistor | Si |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 45 nC a 10 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Longitud | 10.16mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Altura | 9.19mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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