MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 20 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
124-5401
Nº ref. fabric.:
NTD5867NLT4G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

50mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

36W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.73mm

Anchura

6.22 mm

Altura

2.38mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CZ

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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