MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 20 V, ID 200 mA, Mejora, SOT-416 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal 750 unidades (suministrado en carrete)*

42,00 €

(exc. IVA)

51,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1650 unidad(es) más para enviar a partir del 14 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
750 - 13500,056 €
1500 - 36000,052 €
3750 - 73500,051 €
7500 +0,05 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
124-6784P
Nº ref. fabric.:
RE1C002UNTCL
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-416

Serie

RE1C002UN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

150mW

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

1.7mm

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

0.96mm

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET de canal N, ROHM


Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor


Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.