MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 20 V, ID 100 mA, Mejora, ESM de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
124-6838P
Nº ref. fabric.:
RUM001L02T2CL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

RUM001L02

Encapsulado

ESM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

150mW

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-8V, +8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

900μm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

450μm

Longitud

1.3mm

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET de canal N, ROHM


Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor


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