MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed C3M0065100K, VDSS 1 kV, ID 35 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 125-3453
- Nº ref. fabric.:
- C3M0065100K
- Fabricante:
- Wolfspeed
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*precio indicativo
- Código RS:
- 125-3453
- Nº ref. fabric.:
- C3M0065100K
- Fabricante:
- Wolfspeed
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Wolfspeed | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1kV | |
| Serie | C3M | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 4.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 19 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 113.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.21 mm | |
| Altura | 23.6mm | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Wolfspeed | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1kV | ||
Serie C3M | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 4.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 19 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 113.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.21 mm | ||
Altura 23.6mm | ||
Longitud 16.13mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de carburo de silicio, serie C3M, Cree Inc.
Nueva tecnología MOSFET de carburo de silicio (SiC) C3M
Tensión de ruptura de drenaje de tensión mínima de 1.000 V en todo el rango de temperatura de funcionamiento:
Nuevo encapsulado de baja impedancia con fuente de controlador
8 mm de recorrido/distancia entre fuente y drenador
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida
Alta tensión de bloqueo con resistencia baja de estado de fuente-drenador
Robustez de avalancha
Diodo intrínseco rápido con recuperación inversa baja
Transistores MOSFET, Cree Inc.
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