MOSFET Infineon IRF135B203, VDSS 135 V, ID 129 A, TO-220AB de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
130-0936P
Nº ref. fabric.:
IRF135B203
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

129 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

135 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

441 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

4.83mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Longitud

10.67mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

16.51mm

Serie

HEXFET

Tensión de diodo directa

1.3V

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