MOSFET Vishay SIHP065N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 40 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 134-9709
Nº ref. fabric.:: SIHP065N60E-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIHP065N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 40 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 13/01/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

6,47 €

(exc. IVA)

7,83 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	6,47 €
10 - 24	6,28 €
25 - 49	5,95 €
50 - 99	5,70 €
100 +	5,37 €

Código RS:: 134-9709
Nº ref. fabric.:: SIHP065N60E-GE3
Fabricante:: Vishay

SiHP065N60E, E Series Power MOSFET N-Channel 650V
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Serie	E Series
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	65 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	250 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	49 nC a 10 V
Longitud	10.51mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.65mm
Altura	15.49mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SIHP065N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 40 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Características