MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP065N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 40 A, Mejora, TO-220 de 4 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
134-9709
Nº ref. fabric.:
SIHP065N60E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

E

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

15.49mm

Anchura

4.65 mm

Longitud

10.51mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor


Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características


Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Nivel bajo en resistencia (RDS(on))

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Conmutación rápida

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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