MOSFET onsemi NVD5C684NLT4G, VDSS 60 V, ID 38 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 141-7228
Nº ref. fabric.:: NVD5C684NLT4G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NVD5C684NLT4G, VDSS 60 V, ID 38 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,253 €

(exc. IVA)

1,516 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	1,253 €	12,53 €
100 - 240	0,811 €	8,11 €
250 - 490	0,788 €	7,88 €
500 - 990	0,768 €	7,68 €
1000 +	0,749 €	7,49 €

*precio indicativo

Código RS:: 141-7228
Nº ref. fabric.:: NVD5C684NLT4G
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	38 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Serie	NVD5C684NL
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	24,3 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	27 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	9,6 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	6.22mm
Longitud	6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Estándar de automoción	AEC-Q101
Altura	2.38mm
Tensión de diodo directa	1.2V