MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 46 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- Código RS:
- 145-4055
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS4C10NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*
190,50 €
(exc. IVA)
231,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 14 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,127 € | 190,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 145-4055
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS4C10NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 46A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | NTMFS4C10N | |
| Encapsulado | SO-8FL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 23.6W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18.6nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 46A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie NTMFS4C10N | ||
Encapsulado SO-8FL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 23.6W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18.6nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8FL de 8 pines