MOSFET onsemi FQA44N30, VDSS 300 V, ID 43 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 145-4398
Nº ref. fabric.:: FQA44N30
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FQA44N30, VDSS 300 V, ID 43 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (En un Tubo de 30)

3,986 €

(exc. IVA)

4,823 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
30 +	3,986 €	119,58 €

*precio indicativo

Código RS:: 145-4398
Nº ref. fabric.:: FQA44N30
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N QFET®, superior a 31 A, Fairchild Semiconductor

El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	43 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	300 V
Tipo de Encapsulado	TO-3PN
Serie	QFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	69 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	5mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	120 nC a 10 V
Longitud	15.8mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	20.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C