MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FQA44N30, VDSS 300 V, ID 43.5 A, Mejora, TO-3PN de 3 pines

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Código RS:
145-4398
Nº ref. fabric.:
FQA44N30
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

43.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

300V

Encapsulado

TO-3PN

Serie

QFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

69mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

310W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

20.1mm

Longitud

15.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N QFET®, más de 31 A, Fairchild Semiconductor


Los nuevos MOSFET planares QFET® de FairField Semiconductor utilizan tecnología avanzada y propietaria para ofrecer el mejor rendimiento de funcionamiento de su clase para una amplia gama de aplicaciones, incluidas fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de display de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.

Ofrecen una pérdida de estado encendido reducida mediante la reducción de la resistencia de encendido (RDS(on)), y una pérdida de conmutación reducida mediante la reducción de la carga de puerta (Qg) y la capacitancia de salida (Coss). Al utilizar la tecnología de proceso QFET® avanzada, Fairchild puede ofrecer una cifra de mérito (FOM) mejorada con respecto a los dispositivos MOSFET Planar de la competencia.

Transistores MOSFET, ON Semi


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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.

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