MOSFET onsemi FDPF045N10A, VDSS 100 V, ID 67 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 145-4441
- Nº ref. fabric.:
- FDPF045N10A
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (En un Tubo de 50)
2,981 €
(exc. IVA)
3,607 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
---|---|---|
50 - 50 | 2,981 € | 149,05 € |
100 - 200 | 2,832 € | 141,60 € |
250 + | 2,683 € | 134,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 145-4441
- Nº ref. fabric.:
- FDPF045N10A
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 67 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
Serie | PowerTrench |
Tipo de Encapsulado | TO-220F |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 4,5 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 43 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Material del transistor | Si |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 57 nC a 10 V |
Ancho | 4.9mm |
Longitud | 10.36mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Altura | 16.07mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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