MOSFET de potencia, Tipo N-Canal onsemi FDP8896, VDSS 30 V, ID 92 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 145-5358
- Nº ref. fabric.:
- FDP8896
- Fabricante:
- onsemi
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- 145-5358
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 92A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 80W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.4mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 92A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 80W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.4mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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