MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 200 V, ID 62 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 145-5423
- Nº ref. fabric.:
- FDP2614
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
149,55 €
(exc. IVA)
180,95 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 22 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,991 € | 149,55 € |
| 100 - 200 | 2,842 € | 142,10 € |
| 250 + | 2,692 € | 134,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 145-5423
- Nº ref. fabric.:
- FDP2614
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 27mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 76nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 260W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 16.51mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie PowerTrench | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 76nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 260W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 16.51mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 33 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines