MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 146-1778
- Nº ref. fabric.:
- IXTP4N65X2
- Fabricante:
- IXYS
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- 146-1778
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- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | X2-Class | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 850mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 80W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.3mm | |
| Altura | 4.7mm | |
| Anchura | 15.9 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie X2-Class | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 850mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 80W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.3mm | ||
Altura 4.7mm | ||
Anchura 15.9 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- US
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS clase X2
La serie de MOSFET de potencia IXYS clase X2 ofrece una carga de resistencia y compuerta significativamente menor que las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, las pérdidas son menores y la eficiencia operativa es mayor. Estos sólidos dispositivos tienen un diodo intrínseco y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en diversos paquetes estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares y control de iluminación y temperatura.
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
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