MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN170N65X2, VDSS 650 V, ID 170 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS), un fabricante mundial de semiconductores de potencia y circuitos integrados (CI) para aplicaciones de eficiencia energética, gestión de alimentación, transporte, médicas y de control de motores, anuncia la expansión de su línea de MOSFET de potencia Ultra Junction: los MOSFET de potencia de 650V X2-Class con diodos de cuerpo rápido. Con una resistencia en funcionamiento de tan solo 17 MΩ y corrientes nominales que oscilan entre 22 A y 150 A, estos dispositivos están optimizados para aplicaciones de conversión de potencia de conmutación suave y modo resonante. Los diodos de cuerpo intrínseco rápido HiPerFET™ de los MOSFET muestran características de recuperación muy suave, minimizando las interferencias electromagnéticas (EMI), especialmente en topologías de conmutación de puente medio o completo. Con una baja carga y tiempo de recuperación inversa, los diodos de cuerpo se pueden utilizar para garantizar la eliminación de todas las energías durante la conmutación de alta velocidad, a fin de evitar el fallo del dispositivo y lograr una alta eficiencia. Al igual que otros MOSFET Ultra Junction de IXYS, estos nuevos dispositivos se han desarrollado utilizando un principio de compensación de carga y tecnología de procesos patentada, dando lugar a MOSFET de potencia con una resistencia en funcionamiento y carga de compuerta significativamente más bajas. También presentan un excelente rendimiento dv/dt y avalancha nominal. Gracias al coeficiente de temperatura positivo de su resistencia en funcionamiento, pueden funcionar en paralelo para cumplir los requisitos de corrientes más altas. Aplicaciones adecuadas incluyen fuentes de alimentación de modo resonante, reactancias de lámpara de descarga de alta intensidad (HID), controladores de motor de ac y dc, convertidores dc-dc, control robótico y de servo, cargadores de baterías, inversores solares de 3 niveles e iluminación LED. Estos nuevos MOSFET de potencia de 650 V X2 con diodos de cuerpo HiPerFET™ están disponibles en los siguientes encapsulados de tamaño estándar internacional: TO-220, TO-263, SOT-227, TO-247, PLUS247, TO-264, y PLUS264. Algunos ejemplos de las referencias del fabricante incluyen IXFA22N65X2, IXFH46N65X2, IXFK120N65X2 e IXFN150N65X2, con corrientes de drenaje nominales de 22 A, 34 A, 120 A y 145 A, respectivamente.

RDS (ON) y Qg bajas