MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 250 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 146-4403
Número de artículo Distrelec:: 302-53-297
Nº ref. fabric.:: IXFA80N25X3
Fabricante:: IXYS

MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 250 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 146-4403
Número de artículo Distrelec:: 302-53-297
Nº ref. fabric.:: IXFA80N25X3
Fabricante:: IXYS

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	IXYS
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	80A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	250V
	Encapsulado	TO-263
	Serie	HiperFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	16mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	83nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	390W
	Tensión directa Vf	1.4V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	11.05 mm
	Longitud	10.41mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	4.83mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca IXYS
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 80A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V
	Encapsulado TO-263
	Serie HiperFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 83nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 390W
	Tensión directa Vf 1.4V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 11.05 mm
	Longitud 10.41mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 4.83mm
	Estándar de automoción No

Los niveles más bajos de resistencia en funcionamiento (RDS (ON)) y carga de compuerta (Qg)

Diodo con cuerpo de recuperación suave y rápida y resistencia a dv/dt

Capacidad de avalancha superior

Encapsulados estándar internacionales

Cargadores de baterías para vehículos eléctricos ligeros

Rectificación síncrona en fuentes de alimentación conmutadas

Control de motor

Convertidores dc-dc

Fuentes de alimentación ininterrumpida

Carretillas elevadoras eléctricas

Amplificadores de audio de clase D

Sistemas de telecomunicaciones

Alta eficiencia

Alta densidad de potencia

Fiabilidad del sistema mejorada

Fácil de diseñar

Núcleo microAptiv MIPS32 de 200 MHz/330 DMIPS

Memoria flash de doble panel compatible con actualización en directo

Módulo ADC de 45 canales de 12 bits, 18 MSPS

Unidad de gestión de memoria para óptima ejecución del sistema operativo integrado

Modo microMIPS para compresión de código de hasta el 35%

CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI y comparadores analógicos

Interfaces SPI/I2S para procesamiento y reproducción de audio

Dispositivo USB de alta velocidad/Host/OTG

Ethernet MAC 10/100 Mbps con interfaz MII y RMII

Protección de memoria avanzada

2 MB de memoria flash (además de un 160 KB de flash de inicio)

640 KB de memoria SRAM

MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 250 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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