MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RE1L002SNTL, VDSS 60 V, ID 250 mA, Mejora, SOT-416 de 3 pines
- Código RS:
- 148-6962
- Nº ref. fabric.:
- RE1L002SNTL
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 200 unidades)*
19,60 €
(exc. IVA)
23,80 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 19 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | 0,098 € | 19,60 € |
| 400 - 800 | 0,091 € | 18,20 € |
| 1000 - 1800 | 0,086 € | 17,20 € |
| 2000 - 9800 | 0,072 € | 14,40 € |
| 10000 + | 0,07 € | 14,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 148-6962
- Nº ref. fabric.:
- RE1L002SNTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 250mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | RE1C002ZP | |
| Encapsulado | SOT-416 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.8mm | |
| Anchura | 0.96 mm | |
| Longitud | 1.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 250mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie RE1C002ZP | ||
Encapsulado SOT-416 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.8mm | ||
Anchura 0.96 mm | ||
Longitud 1.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Tipo de accionamiento de baja tensión (12 V)
MOSFET de señal pequeña Pch
Envase pequeño de montaje en superficie
Sin plomo/conforme con RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-416 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-416 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-416 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-416 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-416 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 50 V Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-323 de 3 pines
