MOSFET, N-Canal Wolfspeed, VDSS 1 kV, ID 22 A, Mejora, TO-263 de 8 pines
- Código RS:
- 150-3965P
- Nº ref. fabric.:
- C3M0120100J
- Fabricante:
- Wolfspeed
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 150-3965P
- Nº ref. fabric.:
- C3M0120100J
- Fabricante:
- Wolfspeed
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Wolfspeed | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1kV | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | C3M | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | +15V, +9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21.5nC | |
| Tensión directa Vf | 4.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.23mm | |
| Altura | 4.32mm | |
| Anchura | 9.12mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Wolfspeed | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1kV | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie C3M | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta +15V, +9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21.5nC | ||
Tensión directa Vf 4.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.23mm | ||
Altura 4.32mm | ||
Anchura 9.12mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Wolfspeed presenta su último avance en tecnología de dispositivos de potencia SiC con el único MOSFET de SiC de 1 kV del sector en un nuevo encapsulado optimizado, adecuado para dispositivos de conmutación rápida. Optimizado para sistemas de carga de vehículos eléctricos y fuentes de alimentación industriales trifásicas, el nuevo dispositivo de 1 kV aborda muchos de los desafíos de diseño de alimentación proporcionando un dispositivo único, con baja resistencia de encendido, muy baja capacitancia de salida y baja inductancia de fuente para una combinación perfecta de baja pérdida de conmutación y baja pérdida de conducción.
1 kV VBR mínimo en todo el rango de temperaturas de funcionamiento
Encapsulado de baja inductancia de fuente con contacto de fuente de controlador independiente
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida
Alta tensión de bloqueo con baja RDS (on)
Diodo intrínseco rápido con recuperación inversa baja (Qrr)
Fácil de usar en paralelo y de accionar