MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed, VDSS 1 kV, ID 22 A, Mejora, TO-263 de 8 pines

Código RS:: 150-3965P
Nº ref. fabric.:: C3M0120100J
Fabricante:: Wolfspeed

MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed, VDSS 1 kV, ID 22 A, Mejora, TO-263 de 8 pines

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Código RS:: 150-3965P
Nº ref. fabric.:: C3M0120100J
Fabricante:: Wolfspeed

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Wolfspeed
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	22A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	1kV
	Serie	C3M
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	170mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	21.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	83W
	Tensión directa Vf	4.8V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	4.32mm
	Longitud	10.23mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Wolfspeed
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 22A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1kV
	Serie C3M
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 83W
	Tensión directa Vf 4.8V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 4.32mm
	Longitud 10.23mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Wolfspeed presenta su último avance en tecnología de dispositivos de potencia SiC con el único MOSFET de SiC de 1 kV del sector en un nuevo encapsulado optimizado, adecuado para dispositivos de conmutación rápida. Optimizado para sistemas de carga de vehículos eléctricos y fuentes de alimentación industriales trifásicas, el nuevo dispositivo de 1 kV aborda muchos de los desafíos de diseño de alimentación proporcionando un dispositivo único, con baja resistencia de encendido, muy baja capacitancia de salida y baja inductancia de fuente para una combinación perfecta de baja pérdida de conmutación y baja pérdida de conducción.

1 kV VBR mínimo en todo el rango de temperaturas de funcionamiento

Encapsulado de baja inductancia de fuente con contacto de fuente de controlador independiente

Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia de salida

Alta tensión de bloqueo con baja RDS (on)

Diodo intrínseco rápido con recuperación inversa baja (Qrr)

Fácil de usar en paralelo y de accionar

MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed, VDSS 1 kV, ID 22 A, Mejora, TO-263 de 8 pines

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