MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 20 V, ID 600 mA, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 151-3178P
- Nº ref. fabric.:
- PMDXB600UNEZ
- Fabricante:
- Nexperia
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Unidad(es) | Por unidad |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 151-3178P
- Nº ref. fabric.:
- PMDXB600UNEZ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 600mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4.03W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 1.15mm | |
| Altura | 0.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 600mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4.03W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 1.15mm | ||
Altura 0.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N ≤ 20 V. Las soluciones de conmutación óptimas para sus diseños portátiles. Elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N individuales o dobles de hasta 20 V. Excelente fiabilidad gracias a nuestras fiables tecnologías TrenchMOS y de encapsulado Fáciles de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las exigencias de las aplicaciones portátiles con bajo nivel de tensión.
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Tecnología MOSFET Trench
Encapsulado de plástico SMD ultrapequeño y ultradelgado, sin plomo: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 1 kV HBM
Resistencia de estado de fuente-drenador RDSon = 470 mΩ