FET de nivel lógico TrenchMOS, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 40 V, ID 75 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
151-3349
Nº ref. fabric.:
BUK964R4-40B,118
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

FET de nivel lógico TrenchMOS

Corriente continua máxima de drenaje ld

75A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Serie

BUK964R4-40B

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Disipación de potencia máxima Pd

254W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

9.4 mm

Altura

4.5mm

Longitud

10.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

FET de nivel lógico TrenchMOS de canal N, Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de nivel lógico en un encapsulado de plástico usando tecnología TrenchMOS. Este producto se ha diseñado y calificado para el estándar AEC apropiado para usar en aplicaciones críticas de automoción.

Conforme a AEC Q101

Bajas pérdidas de conducción gracias a la baja resistencia en funcionamiento

Adecuados para fuentes de accionamiento de puerta de nivel lógico

Adecuado para entornos térmicos exigentes con un índice hasta 175 °C

Cargas de 12 V

Sistemas de automoción

Conmutación de potencia de uso general

Motores, lámparas y solenoides

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