MOSFET, N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 61 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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Código RS:
151-3397
Nº ref. fabric.:
PSMN011-60MSX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

61A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

91W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.7mm

Longitud

3.4mm

Altura

900μm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N de 40 V - 60 V, MOSFET de nivel de lógica y estándar. Pruebe nuestros MOSFET robustos y fáciles de usar de la gama 40 V a 60 V, parte de nuestra extensa gama de dispositivos MOSFET. Son perfectos para aplicaciones de espacio y potencia críticos y proporcionan un excelente rendimiento de conmutación y área de funcionamiento seguro (SOA) líder de su clase

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Alta eficiencia gracias a pérdidas bajas de conducción y conmutación

Adecuados para fuentes de accionamiento de puerta de nivel estándar

El encapsulado LFPAK33 es compatible en tamaño con otros tipos de 3,3 mm

Calificación de 175 °C

Convertidores ac a dc

Rectificación síncrona

Convertidores dc-dc

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