MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMV230ENEAR, VDSS 60 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
153-1898
Nº ref. fabric.:
PMV230ENEAR
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

222mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.45W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.9nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4 mm

Longitud

3mm

Altura

1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Trench de canal N, 60 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET

Compatible con nivel lógico

Conmutación muy rápida

Tecnología MOSFET Trench

Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 2 kV HBM

Certificación AEC-Q101

Controlador de relé

Controlador de línea de alta velocidad

Interruptor de carga de lado bajo

Circuitos de conmutación

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