MOSFET, Tipo N-Canal International Rectifier, VDSS 20 V, ID 4.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 162-3304P
- Nº ref. fabric.:
- IRLML2502TRPBF
- Fabricante:
- International Rectifier
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal 200 unidades (suministrado en carrete)*
43,40 €
(exc. IVA)
52,60 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- 41.500 Envío desde el 17 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 200 - 480 | 0,217 € |
| 500 - 980 | 0,202 € |
| 1000 - 1980 | 0,13 € |
| 2000 + | 0,105 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 162-3304P
- Nº ref. fabric.:
- IRLML2502TRPBF
- Fabricante:
- International Rectifier
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | IRLML2502 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.02mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie IRLML2502 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.02mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No cumple
MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo de 20 V en encapsulado Micro 3
Configuración de contactos estándar de la industria, encapsulado SOT-23
Compatible con técnicas de montaje en superficie existentes Sin halógenos
Compatibilidad con varios proveedores
Fabricación más sencilla
Respetuosa con el medio ambiente
Mayor fiabilidad
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 30 V Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines