MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 2.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
162-8966
Nº ref. fabric.:
MVGSF1N03LT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

MGSF1N03L

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

145mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

690mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.04mm

Anchura

1.4 mm

Altura

1.01mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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