MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 11.4 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
163-1135
Nº ref. fabric.:
NTMS4177PR2G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

NTMS

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

19mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Altura

1.5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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