MOSFET Infineon IRFI4410ZPBF, VDSS 100 V, ID 43 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-5783
Nº ref. fabric.:: IRFI4410ZPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFI4410ZPBF, VDSS 100 V, ID 43 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple

237 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 50)

1,311 €

(exc. IVA)

1,586 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 +	1,311 €	65,55 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-5783
Nº ref. fabric.:: IRFI4410ZPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	43 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	TO-220 FP
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	9,3 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	47 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	4.83mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	81 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.75mm
Altura	16.13mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C